国星半导体外延芯片(二期)技改扩建项目避雷针安装
佛山市国星半导体技术有限公司国星半导体外延芯片(二期)技改扩建项目总占地面积为31819.3m2,建筑面积51263.1㎡。项目总投资6.0亿元,改扩建后年生产135万片(4寸)外延片,折合1700亿粒芯片。
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佛山市国星半导体技术有限公司国星半导体外延芯片(二期)技改扩建项目总占地面积为31819.3m2,建筑面积51263.1㎡。项目总投资6.0亿元,改扩建后年生产135万片(4寸)外延片,折合1700亿粒芯片。
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